型號 ：ZCL-700

一、真空室：

1. 形式：雙腔室結(jié)構(gòu)，中間配置閘板閥。

 A、濺射室：700（寬）x700(深)x600mm(高)，后開門。配置3個 CF35法蘭，軸心指向工作臺，用于觀測，觀測路徑上不得有阻擋;另設(shè)置φ100mm觀測窗一個。

B、進(jìn)料室：500（寬）x500(深)x600mm(高)，前開門。配置射頻離子源（清洗）和傳送機(jī)構(gòu)，支持Φ250mm×20mm（高），重量≥2kg樣品的送入。

C、閘板閥：500x400mm.送料機(jī)構(gòu)傳送。

2. 室體材料304不銹耐酸鋼，內(nèi)壁不銹鋼拋光，外壁噴丸處理。

3. 含2套腔體防污板 （304材料）。

4. 樣片在上，磁控靶在上

5. 冷卻管道采用304不銹鋼管。

6. 主機(jī)與電控柜連接之電纜，應(yīng)裝入線槽，且從上方通過。

7. 所有供水管均采用塑料高壓氣管，進(jìn)、出水塑料高壓氣管采用兩種不同顏色顯示。

8. 控電柜采用縱柜形式。

二、真空系統(tǒng)：

1．進(jìn)料室：A.極限真空 ≤1.0x10-3pa，恢復(fù)真空： 大氣→9×10-1Pa ≤30min。

B.真空泵配置：250分子泵 + GSD120B干泵一臺

C.送樣系統(tǒng) 采用load-lock室送樣系統(tǒng)，支持Φ250mm×20mm（高），重量≥2kg樣品的送入。

2．濺射室：A.極限真空 ≤5.0x10-5pa，恢復(fù)真空： 大氣→1.0×10-4Pa ≤40min

B.升壓率：≤5.0pa@12hours

C.真空泵配置：GSD120B干泵一臺（低噪音）+ 400分子泵一臺

D.濺射真空室抽氣速率45min內(nèi)真空度≤1×10-4Pa 

E.濺射真空室升壓率 ≤5.0Pa@12hours

3. 真空系統(tǒng)測量：自動真空壓強(qiáng)控制儀；觀察窗口徑≥Φ80mm

4. 真空系統(tǒng)操作：自動/手動(PLC控制)

三、加熱控溫系統(tǒng)：

  1.管狀加熱器加熱紅外輻射加熱，功率6Kw。

2.加熱控制溫度范圍：室溫~300℃，分辨率0.1℃，控溫精度：≤±2℃。

3.數(shù)字PID自動控溫系統(tǒng)，溫度可控可調(diào)（測量位置：被鍍基片附近）；非接觸工件直接測溫，熱電偶控溫。

四、工作臺（基片臺）

1.正置工作臺1個，共聚焦濺射。工作臺旋轉(zhuǎn)，3-30rpm無級變速，速度連續(xù)可調(diào)。

工作模式

全自動濺射：調(diào)取預(yù)存設(shè)置參數(shù)，濺射全程無需干預(yù)，支持999層膜層參數(shù)設(shè)置。

半自動濺射：可單獨設(shè)置全部控制參數(shù)，并執(zhí)行濺射程序，中途可以中斷并修改參數(shù)并重新濺射。

手動濺射：點動控制各硬件模塊，進(jìn)行濺射。

2.工件旋轉(zhuǎn)：自轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5~30rpm；可放置φ250mm樣品一件。

3.濺射膜厚均勻區(qū)：不均勻性小于±5%@1μm，區(qū)域直徑≥200mm。

4. 濺射膜厚重復(fù)性：≥95%

5.加熱控溫系統(tǒng)采用電阻絲加熱；紅外輻射加熱，非接觸工件直接測溫，熱電偶控溫；加熱控制溫度范圍：室溫~300℃，分辨率0.1℃，控溫精度：≤±2℃。

6.工作臺高度可調(diào)，以滿足靶基距離調(diào)整要求。

五、磁控濺射靶及電源（直徑6英吋磁控靶，濺射靶數(shù)量3個，角度可調(diào)）：

.直流濺射電源（3件）：3KW（恒流控制）；射頻電源2件，1.5Kw。

2.濺射方式：由上往下濺射；靶基間距80-300mm可調(diào)，調(diào)節(jié)量可控，分辨率≤±1mm。

3.濺射材料：A.金屬：Au、Pt、Ti、Cr、Ni、W、Fe、Cu、Ag、Al、NiCr、NiSi

B.非金屬：AlN、SiO2、Al2O3

4.每件靶上面有氣動擋板，擋板可旋轉(zhuǎn)。

5.濺射模式 直流濺射/射頻濺射

6.功率 直流濺射功率≥1000W；射頻濺射功率＞600W。

7.有效區(qū)域 ≥Φ250mm

8.濺射膜厚均勻性 不均勻性小于±5%@1μm 區(qū)域直徑≥200mm。

9.濺射膜厚重復(fù)性 ≥95%

10.靶電極和冷卻水管須套在不銹鋼管內(nèi)；

11.磁控濺射靶的冷卻水做到只要鍍膜開機(jī)抽真空，其冷卻水就暢通；

12.直流、射頻磁控電源能方便切換到需要工作的磁控濺射靶上，預(yù)濺射

正式濺射的時間能直觀地顯示在觸摸屏上。

六、壓力控制系統(tǒng)：

.自動壓強(qiáng)控制儀：控制范圍5×10-2Pa（0.1Pa）～10 Pa可調(diào)，穩(wěn)定控制精度±0.1Pa

2.氣路控制3路工藝氣體進(jìn)氣，1路N2，1路Ar，1路O2，質(zhì)量流量計控制氣體流量。

3.充氣系統(tǒng)：配3只日本山武質(zhì)量流量計。

4.氣路：全金屬管路，采用內(nèi)壁拋光不銹鋼管。

七、清洗系統(tǒng)：

Load-lock室配置IBD-RISE-12-HO射頻離子源，可對樣品進(jìn)行射頻清洗。

八、計算機(jī)全自動控制系統(tǒng)：

1.控制方式：17”一體式工控機(jī)電腦 + 工業(yè)控制PLC模塊。

2.性能：

1）可靠性：..的故障反饋及誤操作互鎖保護(hù)功能，具備各系統(tǒng)的自診斷功能：設(shè)備一旦出現(xiàn)故障，自動存儲故障記錄，發(fā)出聲光報警，等待操作人員檢查處理；                             

2）自動化：可以實現(xiàn)從排氣到濺射完成的一鍵控制，控制較為靈活。

3）用戶可自行編寫濺射程序，并由此濺射機(jī)自動實施。

3.濺射數(shù)據(jù)管理：

1）參數(shù)包括但不限以下：膜層的濺射氣壓、功率（電壓、電流）、時間、溫度、基片臺轉(zhuǎn)速等

2）真空度數(shù)據(jù)保存及曲線顯示；

4.工作模式：

1）全自動濺射：調(diào)取預(yù)存設(shè)置參數(shù)，濺射全程無需干預(yù)，支持999層膜層參數(shù)設(shè)置。

2）半自動濺射：可單獨設(shè)置全部控制參數(shù)，并執(zhí)行濺射程序，中途可以中斷并修改參數(shù)并重新濺射。

3）手動濺射：點動控制各硬件模塊，進(jìn)行濺射。

每層膜層的濺射氣壓曲線、功率（電壓、電流）曲線、時間、溫度曲線、基片臺轉(zhuǎn)速等參數(shù)并以數(shù)據(jù)表和圖片的形式導(dǎo)出，且界面美觀。

4.濺射過程自動化，自動控制的主要內(nèi)容：

1）具備..的故障反饋及誤操作互鎖保護(hù)功能以及各系統(tǒng)自診斷功能；

2）真空系統(tǒng)抽、排氣可編程設(shè)置，由工控電腦自動控制完成；

3）工件盤轉(zhuǎn)動的高，低速旋轉(zhuǎn)可編程設(shè)置；

4）氣體管路閥門及進(jìn)氣量可編程設(shè)置；由工控電腦自動控制壓控儀完成；

5）各個泵閥的控制由PLC來自動完成；

6）膜厚控制采用時間功率方式進(jìn)行，可顯示濺射時間及功率；

5.控制特點：

1）人機(jī)界面為中文觸摸形式，可由觸摸屏或鍵盤和鼠標(biāo)進(jìn)行對話；

2）參數(shù)設(shè)置功能：時間、功率及相關(guān)參數(shù)；

3）可通過編程進(jìn)行參數(shù)設(shè)置，也可在電腦屏幕上直接輸入；

4）具有..的數(shù)據(jù)信息自動存儲功能，記錄文件可方便的輸出；

5）記錄文件格式可轉(zhuǎn)換為Excell格式

6）整個工作過程自動儲存。

7）保護(hù)功能具備自鎖、互鎖安全保護(hù)措施

九、安裝要求：

1.環(huán)境溫度：10～35℃;

2.相對濕度：不大于80%；

3.設(shè)備周圍環(huán)境整潔，空氣清潔，不應(yīng)有可引起電器及其他金屬表面腐蝕或引起金屬間導(dǎo)電的塵?；驓怏w存在。

十一、設(shè)備動力要求：

1.水源: 自來水循環(huán)，水壓0.2～0.3Mpa，水量～60L/min，進(jìn)水溫度≤20℃～25℃；

2.氣源：氣壓0.6Mpa；

3.電源：三相五線制220V/380V，50Hz，電壓波動范圍：三相342～399V，單相198～231V；頻率波動范圍：49～51Hz；設(shè)備功率：～20KW；接地電阻4Ω；

十一、設(shè)備總尺寸：＜2.5m(長) x 1.5m(寬) x 2.0（高）