一、主要用途:
本設(shè)備是乙方專門針對各大專院校及科研單位對光刻機的使用特性研發(fā)的一種精密光刻機,它主要用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、光電子器件、聲表面波器件的研制和生產(chǎn)。
二、 主要性能指標
1、曝光類型:單面;
2、曝光面積(有效面積):φ310mm;
3、曝光照度均勻性:≥ 96%;
4、曝光強度:0~30mw/cm2可調(diào);
5、紫外光束角:≤3?;
6、紫外光中心波長:365nm;
7、紫外光源壽命:2年;
8、曝光分辨率:2μm;
9、曝光模式:可選擇一次曝光或套刻曝光;
10、顯微鏡移動范圍:X:±50mm Y:±100mm;
11、對準范圍:X、Y±3mm;Q±3°;
12、套刻精度:2μm;
13、分離量;0~50μm可調(diào);
14、接觸-分離漂移:≤2μm;
15、曝光方式:密著曝光,可實現(xiàn)硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光;
16、找平方式:三點式自動找平; 8英寸wafer;
17、顯微系統(tǒng):雙視場CCD系統(tǒng),顯微鏡91X~570X連續(xù)變倍(物鏡1.6X~10X連續(xù)變倍),雙物鏡距離可調(diào)范圍50mm~120mm,計算機圖像處理系統(tǒng),19″液晶監(jiān)視器;計算機圖像處理系統(tǒng),19″以上液晶監(jiān)視器;CCD用HMDI端口;
18、掩膜板尺寸: 355.6mm×355.6mm(12英寸wafer對應(yīng)版);228.6mm×228.6mm(8英寸wafer對應(yīng)版);
19、基片尺寸:φ304.8mm;
20、基片厚度:12英寸厚度775±20um;8英寸厚度725±20um;
21、曝光定時:0~999.9秒可調(diào);
22、對準精度:±1μm;
23、曝光頭移動:電動;
24、電源:單相AC220V 50HZ ,功耗≤3KW;
25、潔凈空氣壓力:≥0.4MPa;
26、真空度:-0.07MPa~-0.09MPa;
27、G-26D12型光刻機的組成:
由主機(含機體和工作臺),對準用單筒顯微鏡,高均勻性曝光頭組成。
28、附件如下:
a.主機附件:
1)掩膜版板架,按上面第18提供。
2)真空夾持承片臺,按以上提供。
b.顯微鏡組成
1)高分辨率單筒顯微鏡二個。
2)二個CCD。
3)視頻連接線。
4)計算機和19"液晶監(jiān)視器。