G-31B6型高精密雙面光刻機(jī)

一、設(shè)備概述

本設(shè)備廣泛用于各大、中、小型企業(yè)、各大院校、科研單位，它主要用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產(chǎn)。

CCD顯微系統(tǒng)|X、Y、Q對(duì)準(zhǔn)工作臺(tái)

二、主要性能指標(biāo)

1、工作臺(tái)行程(X向、Y向/Z向/θ向）：±5mm/10mm/±5°；

2、適用基片尺寸: ≤6英寸；

3、掩模版尺寸：≤ 7″（175×175 mm）；

4、對(duì)準(zhǔn)精度（正面對(duì)準(zhǔn)/背面對(duì)準(zhǔn)）:±2um/±3um；

5、放大倍率:51×～570×(ccd連續(xù))；

6、曝光光源:UV365，500W高壓汞燈；

7、曝光面積:φ160mm；

8、曝光分辨率:2 um（膠厚≤1 um，正膠、真空接觸）；

9、曝光強(qiáng)度:≥ 5mW/cm2；

10、曝光不均勻性：≤5%；

11、曝光時(shí)間:0～999.9s；